橫河電機發布（bù）應用（yòng）於DRAM量產的MT6111存儲（chǔ）器測試係統

    最新發布的MT6111係統，是市場現有的MT6060係統的（de）改進型。和MT6060係統相比較，MT6111係統提高了測試效率，減少了將（jiāng）近20%的量產測試時間。MT6111係統是為占據了很大半導體市（shì）場份額的DRAM的量產（chǎn）而設計的高性價（jià）比存儲器測試機。除測試DRAM之外，MT6111也能應用於市場需求快速增長的NAND/NOR類型閃存[＊2]的測試。 

發展背景 

    半導體市場在過（guò）去30年內持續增長並且這種增長勢頭在未來還將繼續。DRAM半導體器件的需求促（cù）動了這種市場增長（zhǎng）。DRAM不（bú）僅在個（gè）人（rén）電腦上大量使（shǐ）用，也（yě）正（zhèng）在越來（lái）越廣泛地應（yīng）用於家用數碼產品。可以預測到DRAM在半（bàn）導體市場將（jiāng）持續地占有較大份額。 

    在半導（dǎo）體市場（chǎng）快速成長的同時，IC的製造廠家正在努力降低IC的製造成本來增強其在全球的競爭（zhēng）力。例如，早期微製（zhì）成技術的應用就是為了（le）能從一塊晶圓上製造出更多的芯片。減少測（cè）試成本（běn）是半導體（tǐ）製造（zào）商增強其在（zài）全球競爭力的另一關鍵所在。為了迎（yíng）合（hé）客戶的此種需求，橫河電機開發出高效能，低成本的DRAM測試係（xì）統。 

係統性能 

1. 並行測試
係（xì）統（tǒng）最（zuì）大配置兩個獨立的測試站（zhàn），最（zuì）大的同測數目達到1024 DUT（MT6060產能的兩倍（bèi）），因此提（tí）高了係統的性能並且增強（qiáng）了測試製（zhì）程的產出。 

2. 低成本高效率（lǜ）的量產測試
為（wéi）了提高DRAM的測試效率並降低測試成本，MT6111的最大（dà）工作主頻率達到140MHz。

3. 體（tǐ）積小重量輕 
MT6111係統僅占據橫河電機先前（qián）同（tóng）類係統60%的空間，給測試製程節省（shěng）了大量的空間並且有（yǒu）利於（yú）整體（tǐ）運行成本的降低。

主要特性參數

最大工作頻率（lǜ）: 140MHz
數據傳輸率: 280Mbits每秒
同測（cè）數（shù）目: 最大1024 DUT（兩（liǎng）個測試站時）
測試（shì）站（zhàn）配置: 2個（單個測試站亦可） 

主要市場

半導體製（zhì）造商和半導體測試公司

應用

半導體器件DRAM ，NAND和NOR類閃存的（de）前道工（gōng）藝（yì）晶圓測（cè）試。

[＊1] DRAM
DRAM是（shì）動態隨機存儲器（qì）的簡稱，是（shì）一類（lèi）需定期刷新的隨機存儲器，主要應用於個人電腦。

[＊2] 閃存
閃存是一類可讀寫（xiě）的穩定存儲介質。NAND類閃存（cún）儲器存儲密（mì）度較高，主要應用於數碼（mǎ）相機（jī）的存儲卡（kǎ）等等。NOR類閃存儲器能提（tí）供較高（gāo）的隨機存儲（chǔ）性能，通常作為手機（jī）的存儲介質。