橫河電機發布應用於DRAM量產的MT6111存儲器測試（shì）係統

    最（zuì）新發布的MT6111係統，是市場現有的（de）MT6060係統的改（gǎi）進型（xíng）。和（hé）MT6060係統相比（bǐ）較，MT6111係統（tǒng）提（tí）高了（le）測試效率，減少了將近（jìn）20%的量產測試時間。MT6111係統是為占據了很大半導體市場份額的（de）DRAM的量產而（ér）設計的高性價比（bǐ）存儲器測試機。除（chú）測試DRAM之（zhī）外，MT6111也（yě）能應用於市場需求快速增長的NAND/NOR類型閃存[＊2]的測試（shì）。 

發展（zhǎn）背景 

    半導體市場在過去30年內持續增長並且這種增長勢頭在未來還（hái）將繼續。DRAM半導體器件的需求促動了這種（zhǒng）市場（chǎng）增長。DRAM不僅在個人（rén）電腦上大量使用，也正在越來越廣泛地應用於（yú）家用（yòng）數碼產品。可以預（yù）測到DRAM在半導體市（shì）場將持續地占有較大份額。 

    在半導體市場快速成長的同時，IC的製造廠（chǎng）家正在努力降低IC的製造成本來增強其在全球的競（jìng）爭力。例如，早期微製成技術的應用就是為了能從（cóng）一（yī）塊晶圓上製造出更多的芯片。減少測試成本是半（bàn）導體製造商增強其在全球競爭力的另一關鍵所在。為了迎合客戶的此種需（xū）求，橫河電機開發（fā）出高效能（néng），低（dī）成（chéng）本的（de）DRAM測試係統。 

係統性能 

1. 並行測試
係統最大配置（zhì）兩個獨立的測試站，最大的同（tóng）測數（shù）目達到1024 DUT（MT6060產能（néng）的兩（liǎng）倍），因此提（tí）高了係（xì）統的（de）性能並且增強了（le）測試製程的（de）產出。 

2. 低成本（běn）高效率的量產測試
為了提高DRAM的測試效率並降低測試成本，MT6111的最大工作主頻率達到140MHz。

3. 體積小重量輕（qīng） 
MT6111係統僅占據橫河電機先前同類係（xì）統60%的空間，給測試製程節省了大量的空間並且（qiě）有利於整體運行成本的降低。

主要特性參數

最大（dà）工作（zuò）頻率（lǜ）: 140MHz
數據傳輸率: 280Mbits每秒
同（tóng）測（cè）數目: 最大1024 DUT（兩個測試（shì）站時）
測試站配置（zhì）: 2個（單個測試站亦（yì）可（kě）） 

主要市（shì）場

半導體製造（zào）商和半導體測試公司

應用（yòng）

半導體器（qì）件（jiàn）DRAM ，NAND和NOR類閃存的前道工（gōng）藝晶圓測試。

[＊1] DRAM
DRAM是動態隨機存儲器的簡稱，是一類需定期刷（shuā）新的隨機存儲器（qì），主要應用於（yú）個人電腦。

[＊2] 閃存
閃存是一類可讀（dú）寫的穩定存儲介質。NAND類閃存儲器存儲密度較高，主要應用於數碼相機的存儲卡等等。NOR類閃存儲器能提供較高的隨（suí）機存儲性能（néng），通常作為（wéi）手機的存儲介質。