CMOS集成化MEMS振蕩器 成本競爭力趕超水晶（jīng）

在與4月25日閉幕的“2008日本傳（chuán）感器綜合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”並設的“2008傳感器·執行器·微機械綜合討（tǎo）論會”上，美國SiTime的日本代理商就SiTime的MEMS振蕩器（矽振（zhèn）蕩器）發表演講，就其相（xiàng）對於現有水晶振蕩（dàng）器的優越性進行了介紹。

　　演講人向中野 浩誌（Macnica產品（pǐn）企劃部部長）表示，在成本方麵，MEMS振蕩器（qì）優於水晶振蕩器。在使用晶體底板尺寸較大的矽時，加工所需的掩膜數量不到（dào）10張。考（kǎo）慮到通用CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器的成本競爭力較高。並（bìng）且，向中野還通（tōng）過與已上市的水晶振蕩器（qì）的（de）配置進行對比，用具體數值強調了MEMS振蕩器在性能和成（chéng）本上的優（yōu）勢。

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發揮比現在更大的成本競（jìng）爭力。這是因（yīn）為，MEMS部分（fèn）（振子）和溫度校正所需的周邊電路可（kě）以實現單芯片化。利用（yòng）該（gāi）公司擁有（yǒu）的技術，能夠把作為可動部分的振子在CMOS的（de）前工序中密閉，然後形成CMOS電路。無需經過焊接（jiē）和引線鍵合等安裝工序，即可使MEMS部分和CMOS部分實現單芯（xīn）片化。

　　但是，在現（xiàn）在供應的產品中（zhōng），MEMS部分（fèn）和（hé）CMOS部分作為單獨（dú）芯片製造（zào），分別通過引線鍵（jiàn）合連接。兩個芯片無（wú）法（fǎ）合一的原因在於二（èr）者接近後存在（zài）幹擾。就此，向中野表示，“怎樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，並作為單（dān）芯（xīn）片產品投產，將是（shì）今後需要解決的課題（tí）。