MEMS振蕩器：“成本競爭力超過水晶”

在與（yǔ）4月25日閉幕的“2008日（rì）本傳（chuán）感（gǎn）器綜（zōng）合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”並設的“2008傳（chuán）感器·執（zhí）行器·微機械綜合討論（lùn）會”上（shàng），美國SiTime的日本代理商就SiTime的（de）MEMS振蕩（dàng）器（矽振蕩器）發表（biǎo）演講，就其相對於現有水晶振蕩器的優越性進行了介紹。 

　　演講（jiǎng）人向中野 浩（hào）誌（Macnica產品企劃部部長）表（biǎo）示，在成本方麵，MEMS振蕩器優於水（shuǐ）晶振蕩器。在（zài）使用晶體底（dǐ）板尺寸較大的矽時，加工所需的掩膜數量（liàng）不到10張。考慮到通用CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器（qì）的成本競爭力較高。並且，向中野還通過與已（yǐ）上市的水晶（jīng）振（zhèn）蕩器的配置進行對（duì）比，用具體數值強調了MEMS振蕩器在性能和成本上的優勢。 

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發揮比現在（zài）更大（dà）的成本競爭力。這是因為，MEMS部分（振子（zǐ））和溫度校正所（suǒ）需的周邊電路可（kě）以實現單芯片化。利（lì）用該（gāi）公司擁有的技術，能夠把作為可動（dòng）部分的振子在CMOS的前工（gōng）序中密閉，然後形成CMOS電路（lù）。無需（xū）經過焊接和引線鍵合等安裝工序，即可使（shǐ）MEMS部分和CMOS部分實現單芯片化。 

　　但是（shì），在（zài）現在供應的產品中，MEMS部分和CMOS部分作為單（dān）獨（dú）芯片製造，分別通過引（yǐn）線鍵（jiàn）合連接（jiē）。兩個芯片無法合一的原因在於二者接近後存在幹擾。就此，向中野表示，“怎樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，並（bìng）作為單芯片產（chǎn）品投產，將是今後需要解決的課題（tí）。