CMOS集成化MEMS振蕩器 成本競爭（zhēng）力趕超水晶

在與4月25日閉幕的“2008日本傳感器（qì）綜合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”並設的“2008傳感（gǎn）器·執行器·微機械綜合討論（lùn）會”上（shàng），美（měi）國SiTime的日本代理商就（jiù）SiTime的MEMS振蕩器（矽振蕩器）發表演講，就其相對於現有水晶振蕩器的優越性進行了介紹。

　　演（yǎn）講人向中野 浩誌（Macnica產品企劃部（bù）部長）表示，在成本（běn）方（fāng）麵，MEMS振蕩器優於水晶振蕩器（qì）。在使用晶體（tǐ）底板（bǎn）尺寸較大的矽時，加工所需的掩膜數量不到10張（zhāng）。考慮到通用（yòng）CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器的成本競爭（zhēng）力較高。並且，向中野還通過與已上市的水晶振蕩器的配置進行對比，用具體數值強調了MEMS振蕩器在（zài）性能（néng）和成本上的優勢。

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發揮比現在更大的（de）成（chéng）本競爭（zhēng）力。這是因為，MEMS部分（振子）和溫度校正所需（xū）的周邊（biān）電路可以實（shí）現單芯片化。利用該公司擁有的技術，能夠把作為可動部分的振子在CMOS的前工序中密閉（bì），然後形成CMOS電路。無需經過焊（hàn）接（jiē）和引線鍵合等安裝（zhuāng）工（gōng）序，即可使MEMS部分和CMOS部分實現單芯片化。

　　但（dàn）是，在現在供應的產（chǎn）品（pǐn）中，MEMS部分和CMOS部分作為單獨芯片製造，分別通過引（yǐn）線鍵合連接。兩個芯片無法合一（yī）的原因在於二者接近後存在（zài）幹擾（rǎo）。就此，向中野表示，“怎（zěn）樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，並作為（wéi）單芯片產（chǎn）品投（tóu）產，將是今後需要解決的課題（tí）。