電磁流量計公司(sī) > 電磁流量(liàng)計資訊 > 用於低耗電(diàn)係統的16位微控製器 在8月上市
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用於低耗電係統的16位微控製器 在8月上市
NEC電子 將從2008年8月開始陸續樣品上市22款使用(yòng)電池驅動的閃存(cún)內置型16位微控製器,這些微控製器最(zuì)適合用於(yú)小型省電(diàn)係統(tǒng)。這些產品在該公司於2006年2月開始供應的、基於16位CPU內核“78K0R”的內(nèi)置閃存型16位微控製器的基礎上,強化了節能結構(gòu)。這些微控製器適合用於要求兼顧低耗電和高功能的傳感器係統,比如火災(zāi)報(bào)警器等(děng)電池驅動的安全係統或或帶防抖動功能的數碼相機等。
此次發(fā)布的產品比原產品降低了耗電量,待機時耗(hào)電減少了60%,10MHz工作時減少了(le)17%,20MHz工(gōng)作時減少了16%。通過優化整體電路,待機時的消費電流由原來的2.4mA降至1.0mA。另外,原來隻配備有8MHz的內置振蕩電路,而此次(cì)還增加配備(bèi)了1MHz和20MHz的內置振蕩電路(lù)。這樣便可輕鬆選擇最佳工作頻(pín)率,易於進一步降低耗電量。此外,8MHz和20MHz的內置振蕩電路的工作頻率誤(wù)差降到了1%以下(xià),在需要(yào)高精度的應用中,也不再需要外置振蕩電路(lù)。
此(cǐ)次還優化了(le)用於將各種傳感器的模擬信號轉換成數字信(xìn)號的A/D轉換器。轉換時間由原產品的6ms減半至3ms。由(yóu)於內置了1個(gè)信道的運算放(fàng)大器,2個信道的比較器,因此這些功能不再(zài)需要外置。通過內置專用升壓電路,將閃存擦寫所需電壓由原來(lái)的2.7V降至1.8V,這(zhè)也有利於省電。
將(jiāng)64KB閃存和3KB RAM封裝在64端子FPBGA中的“78K0R/KE3-L”,樣品價格為500日元。該係列將於08年底開始(shǐ)量產,計劃一年後22款產品合計達到月(yuè)產100萬個。
NEC電(diàn)子將在2008年5月14~16日於東京有明國際會展中心舉行的“第11屆嵌入係統開發技術展(zhǎn)(Embeded System EXPO & Conference:ESEC)”上展出此(cǐ)次的產品。
此次發(fā)布的產品比原產品降低了耗電量,待機時耗(hào)電減少了60%,10MHz工作時減少了(le)17%,20MHz工(gōng)作時減少了16%。通過優化整體電路,待機時的消費電流由原來的2.4mA降至1.0mA。另外,原來隻配備有8MHz的內置振蕩電路,而此次(cì)還增加配備(bèi)了1MHz和20MHz的內置振蕩電路(lù)。這樣便可輕鬆選擇最佳工作頻(pín)率,易於進一步降低耗電量。此外,8MHz和20MHz的內置振蕩電路的工作頻率誤(wù)差降到了1%以下(xià),在需要(yào)高精度的應用中,也不再需要外置振蕩電路(lù)。
此(cǐ)次還優化了(le)用於將各種傳感器的模擬信號轉換成數字信(xìn)號的A/D轉換器。轉換時間由原產品的6ms減半至3ms。由(yóu)於內置了1個(gè)信道的運算放(fàng)大器,2個信道的比較器,因此這些功能不再(zài)需要外置。通過內置專用升壓電路,將閃存擦寫所需電壓由原來(lái)的2.7V降至1.8V,這(zhè)也有利於省電。
將(jiāng)64KB閃存和3KB RAM封裝在64端子FPBGA中的“78K0R/KE3-L”,樣品價格為500日元。該係列將於08年底開始(shǐ)量產,計劃一年後22款產品合計達到月(yuè)產100萬個。
NEC電(diàn)子將在2008年5月14~16日於東京有明國際會展中心舉行的“第11屆嵌入係統開發技術展(zhǎn)(Embeded System EXPO & Conference:ESEC)”上展出此(cǐ)次的產品。
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